但需要回答的問(wèn)題還不僅僅局限于此惹模。PCB設(shè)計(jì)工程師可能會(huì)來(lái)告訴你，PCB板上沒(méi)有足夠的空間來(lái)容納所有選定的元件箕昭。控制器應(yīng)該放在哪里？或者落竹，MOSFET泌霍、輸入電容、電感述召、輸出電容朱转、控制電路等等又該放在哪里？采用何種接地方案积暖？PGND和AGND在哪里連接藤为？為了獲得最佳的電磁干擾(EMI)性能或消除噪聲干擾，如何才能盡量減少AC環(huán)路夺刑？散熱器應(yīng)放在哪里缅疟？氣流的方向如何？應(yīng)該使用多少過(guò)孔遍愿？

　　上述這些問(wèn)題表明存淫，電源開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器的設(shè)計(jì)不是一項(xiàng)簡(jiǎn)單的任務(wù)。但I(xiàn)ntersil的集成化FET DC/DC穩(wěn)壓器使降壓電源轉(zhuǎn)換器的設(shè)計(jì)變得輕松自如淌影。這些IC芯片內(nèi)部已經(jīng)解決了大多數(shù)棘手問(wèn)題游隅，并對(duì)各種配置進(jìn)行了優(yōu)化，如MOSFET尺寸脾韧、驅(qū)動(dòng)電路腊的、電流感應(yīng)元件及限流、環(huán)路補(bǔ)償聂突、溫度補(bǔ)償及過(guò)熱保護(hù)等吨肆。開(kāi)關(guān)頻率高達(dá)1MHz以上，因此可以使用小型電感和陶瓷電容芙捏，這些電感和電容是許多制造商的標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品劳仿。最后，對(duì)于大多數(shù)解決方案粤唤，Intersil還提供了評(píng)估電路板和推薦的PCB設(shè)計(jì)甜海，供客戶參考。

　　集成化FET DC/DC轉(zhuǎn)換器的優(yōu)勢(shì)

　　圖1是一個(gè)完整的4A轉(zhuǎn)換器的典型應(yīng)用電路预锅，采用ISL8014芯片饵来。這種電路僅需極少的外部組件。圖2是ISL8014集成FET硅芯片的框圖民傻。同一個(gè)芯片集成了眾多的特性和功能胰默，從而使得電源設(shè)計(jì)變得非常輕松。

圖1：4A集成FET功率轉(zhuǎn)換器的典型應(yīng)用示意圖漓踢。

　1．內(nèi)置MOSFET

　　請(qǐng)注意圖2具有VIN管腳到LX管腳的高邊功率P溝道MOSFET牵署，以及LX管腳到PGND管腳的低邊N溝道MOSFET漏隐，因此不需要再浪費(fèi)時(shí)間去尋找合適的MOSFET。這些內(nèi)置MOSFET與驅(qū)動(dòng)電路一起奴迅，在開(kāi)關(guān)頻率青责、負(fù)載電流、輸入電壓取具、溫度范圍等方面可以滿足廣泛的應(yīng)用需求脖隶。

　圖2：4A集成FET功率轉(zhuǎn)換器內(nèi)部電路框圖。

　　驅(qū)動(dòng)電路的上升和下降時(shí)間約為3ns暇检，在EMI噪聲和功耗之間達(dá)到了最佳平衡产阱。非重疊時(shí)間、高邊和低邊MOSFET的開(kāi)/關(guān)轉(zhuǎn)換時(shí)間(或稱死區(qū)時(shí)間)都得到很好控制块仆，以免出現(xiàn)直通現(xiàn)象构蹬。在LX到PGND管腳之間，不需要另外使用肖特基二極管來(lái)提高效率谴童。開(kāi)關(guān)波形請(qǐng)見(jiàn)圖3a和圖3b辖京。

　圖3a：LX 開(kāi)關(guān)波形(降壓)。

　圖3b：LX開(kāi)關(guān)波形(升壓)整雷。

 
　　2．?dāng)嗬m(xù)模式與連續(xù)模式

　　可供設(shè)計(jì)人員選擇的集成穩(wěn)壓器很多克干。對(duì)于不過(guò)分考慮成本的產(chǎn)品，Intersil提供一種標(biāo)準(zhǔn)的降壓穩(wěn)壓器珠焦，該穩(wěn)壓器在輕載時(shí)采用斷續(xù)模式(DCM)讽噪，并需要外接功率肖特基二極管。另一方面股背，還有很多不需要外接肖特基二極管的同步降壓穩(wěn)壓器渠吮，可以工作在連續(xù)模式(CCM)及/或DCM模式。

 
　　3．內(nèi)置與外接環(huán)路補(bǔ)償