全球NAND閃存的尺寸縮小競賽再次打響龙亲。無論英特爾與美光的聯(lián)合體,IMFlash,三星及東芝都欲爭得NAND縮小的領(lǐng)導(dǎo)地位而互相較勁殿姑。但是實際上在目前存儲器下降周期時尺寸縮小競賽并無實際的意義宵睦。

　　按分析師報告,IMFlash正討論2x nm,而三星己悄悄地作出3xnm樣品及美光計劃利用每單元3位技術(shù)于今年第四季度開始量產(chǎn)涯捻。

　　在DRAM領(lǐng)域,三星一直是技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)者,目前已作出46nm DRAM樣品浅妆。

　　究竟誰是NAND尺寸縮小的領(lǐng)導(dǎo)者,據(jù)今年早些時候報道,東芝與新帝合資公司己走在前列,尺寸小到32納米。

　　目前英特爾與美光聯(lián)合體正計劃重新奪回領(lǐng)導(dǎo)地位,近期己推出34納米NAND芯片障癌。

　　近期美光也準(zhǔn)備推出2x nm NAND產(chǎn)品凌外。按美光發(fā)言人說不僅是推出樣品,而是計劃今年Q4開始試產(chǎn)。

　　據(jù)Gartner分析師報告,美光己完成34納米的工藝轉(zhuǎn)移,并預(yù)計可節(jié)省成本35%涛浙。而IMFlash也正過渡到3x nm工藝康辑。

　　IMFlash計劃于第三季末或第四季度初加緊向2x nm工藝過渡,而達到成本節(jié)省目的。美光也計劃于第四季度開始每單元3位技術(shù)的NAND閃存生產(chǎn),估計產(chǎn)量小于10%轿亮。

　　事情并沒有結(jié)束,三星也己開始42納米NAND閃存供貨疮薇。

　　依巴克萊投資公司報告,從數(shù)量計,三星的42納米產(chǎn)品與5x 納米混在一起計達30%,但是為了與東芝的32納米及美光的34納米競爭,三星正加緊3x 納米的出貨。

　　另外兩家,海力士及恒憶也在緊追,最近也推出41納米NAND產(chǎn)品我注。

　　DRAM領(lǐng)導(dǎo)者?

　　在DRAM領(lǐng)域,三星也不示弱,從2008年開始己經(jīng)產(chǎn)出56納米產(chǎn)品(占今日生產(chǎn)的50%)按咒。目前已開始試制46納米樣品,并計劃在09年底,隨著5x納米產(chǎn)品持續(xù)增加,其全部100%產(chǎn)能在68納米之下。另一點有些不同,三星計劃在今年Q3/Q4實現(xiàn)DDR3及DDR2的交替但骨。

　　目前DRAM最新消息,美光是50納米,三星及海力士分別為58及54納米励七。

　　爾必達報道已完成50納米DDR3的SDRAM研發(fā),這是一種新的低功耗DRAM芯片。

　　業(yè)界有人認(rèn)為存儲器尺寸縮小并沒有實際意義,目前存儲器的運行模式己經(jīng)斷裂籍纸。即過去依靠cash flow推動投資,現(xiàn)在己經(jīng)失效剿夫。如此下去勢必推動工業(yè)進一步兼并。

　　Gartner分析師認(rèn)為目前DRAM仍有市場需求及價格問題,與過去三周的另售價比,上周1Gb存儲器的價格為1,28美元,稍下降0,7%烹驰。

　　由于PC市場仍顯弱,相當(dāng)于主流1Gb器件的價格為1,09美元,下降0,9%,反映市場仍處困難時期宠璧。

　　由于8Gb閃存價格有點上升,與之相反16Gb及32Gb NAND閃存的另售價稍有回落,總體上NAND價格較平穩(wěn),Gartner預(yù)計將進一步對于低密度的16Gb閃存產(chǎn)生壓力。

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