切削刀具(涂層硬質(zhì)合金和涂層高速鋼刀具)表面涂層技術(shù)是近幾十年來應(yīng)巿場需求發(fā)展起來的材料表面改性技術(shù)斜友。采用涂層技術(shù)可有效延長切削刀具的使用壽命差讼，賦予刀具優(yōu)良的綜合機械性能欢公，從而大幅提高機械加工效率。也正因為此伍毙，涂層技術(shù)與切削材料乔墙、切削加工工藝一起并稱為切削刀具制造領(lǐng)域的三大關(guān)鍵技術(shù)。 

　　切削刀具涂層是指在機械切削刀具的表面上涂覆一層硬度和耐磨性很高的物質(zhì)奋构。為滿足現(xiàn)代機械加工對高效率壳影、高精度、高可靠性的要求弥臼，世界各國制造業(yè)對涂層技術(shù)的發(fā)展及其在刀具制造中的應(yīng)用日益重視宴咧，在工業(yè)發(fā)達(dá)國家的工廠中，實施了涂層的刀具在總體中的占比近60%径缅。

　　目前涂層技術(shù)方法主要有氣相沉積法掺栅、溶膠－凝膠法、熱噴涂法等纳猪。其中氧卧，氣相沉積法的應(yīng)用較多，且制備涂層的質(zhì)量較高氏堤。氣相沉積技術(shù)通成尘可分為物理氣相沉積(physical vapor deposition，PVD)和化學(xué)氣相沉積(chemical vapor deposition鼠锈，CVD)闪檬。 

　　通過氣相沉積法制備切削刀具表面涂層的方法主要包括以下幾種：磁控濺射沉積涂層、電弧離子鍍沉積涂層购笆、高溫化學(xué)氣相沉積涂層坐署、中溫化學(xué)氣相沉積涂層、等離子增強化學(xué)氣相沉積涂層挥挚。這當(dāng)中最常用的為高溫化學(xué)氣相沉積玻岳、磁控濺射沉積和電弧離子鍍，下文將結(jié)合各類涂層技術(shù)的不同機理卜伟，闡述其優(yōu)缺點别孵。 

　　磁控濺射沉積技術(shù) 

　　磁控濺射沉積涂層(magnetron sputtering)技術(shù)屬于輝光放電范疇声碴，利用陰極濺射原理進(jìn)行鍍膜。膜層粒子來源于輝光放電中氬離子對陰極靶材產(chǎn)生的陰極濺射作用镰鹤。氬離子將靶材原子濺射下來后溺六，沉積到工件上形成所需膜層。因為在濺射裝置的靶材部分引入磁場达华，磁力線將電子約束在靶材表面附近，延長其在等離子體中的運動軌跡改宅，從而提高其在參與氣體分子碰撞和電離過程的程度晒淮。 

　　磁控濺射沉積具有如下優(yōu)點：(1)沉積速率高、維持放電所需靶電壓低姓迅；(2)電子對于襯底的轟擊能量星没簟；(3)膜層組織細(xì)密丁存，由于磁控濺射沉積涂層是靠陰極濺射方式得到的原子態(tài)粒子肩杈，攜帶著從靶面獲得的較高能量到達(dá)工件，利于形成細(xì)小核心解寝、長成非常細(xì)密的膜層組織扩然；(4)磁控濺射沉積涂層能夠獲得大面積薄膜，可獲得廣泛應(yīng)用聋伦。 

　　但是這一方法也存在以下一些問題：(1)靶材刻蝕不均勻夫偶。由于磁場強度分布不均勻，使靶材利用率低觉增。這可以通過合理設(shè)計靶材結(jié)構(gòu)兵拢、配加電磁場來促成靶面磁場強度的變化，實現(xiàn)放電掃描逾礁，從而有效提高靶材利用率说铃。(2)金屬離化率低。針對此栗柴，可按要求加大(或減少)靶中心的磁體體積碟荐，造成部分磁力線發(fā)散至距靶較遠(yuǎn)的襯底附近，達(dá)成非平衡磁控濺射(unbalanced magnetron sputtering)忙坡。 

　　值得一提的是眉藤，磁控濺射方法也可用于制備多層膜和納米膜，而隨著高新技術(shù)和新興加工業(yè)的迅速發(fā)展邪笆，沉積具有更高性能的多層膜和納米膜的需求日漸增多琴邻。因此，磁控濺射技術(shù)值得進(jìn)一步的深入研究和發(fā)展熏尉，其應(yīng)用前景優(yōu)越赂燎。 

　　電弧離子鍍沉積技術(shù) 

　　離子鍍(ion plating, IP)是在真空蒸發(fā)鍍的基礎(chǔ)上發(fā)展起來的新技術(shù)飞熙，它將各種氣體放電方式引入氣相沉積領(lǐng)域，使得整個氣相沉積過程都在等離子體中進(jìn)行向膏。其中豪纸，電弧離子鍍(arc ion plating, AIP)屬于冷場致弧光放電范疇，是一種沒有固定熔池的固態(tài)蒸發(fā)源逞迟，多采用圓形陰極電弧源作為蒸發(fā)源岩喷。 

　　AIP的優(yōu)點在于：(1)金屬離化率高，高達(dá)60%～90%监憎；(2)電弧離子鍍的沉積速率高纱意；(3)沉積涂層的膜基結(jié)合力好；(4)容易獲得氮化鈦等化合物涂層鲸阔，在200℃以下可以進(jìn)行批量生產(chǎn)偷霉。 

　　AIP的不足之處是：(1)膜層中粗大熔滴的存在增大了表面粗糙度，增加了光線的漫反射褐筛，因而降低了飾品的表面亮度类少；(2)粗大熔滴在切削時容易剝落，造成涂層表面的缺陷渔扎。 

　　電弧離子鍍制備涂層的種類非常多硫狞，涉及領(lǐng)域也極為廣泛，可用于硬質(zhì)防護(hù)涂層的沉積赞警，涂層涵蓋了各種金屬氧化物妓忍、碳化物、氮化物和某些金屬及合金材料愧旦。其也可用于多層結(jié)構(gòu)涂層和納米多層結(jié)構(gòu)涂層的制備墩弯，具有電弧離子鍍操作簡單摩泪、鍍膜室空間利用率大忱痴、生產(chǎn)效率高的特點穴愕，近年來已經(jīng)發(fā)展成為沉積硬質(zhì)涂層的重要技術(shù)，在國內(nèi)外都得到了迅猛發(fā)展鳄砸。 

　　近年來一種新的涂層制備系統(tǒng)采用了復(fù)合涂層技術(shù)威跟，其結(jié)合電弧離子鍍和磁控濺射沉積兩種技術(shù)，系統(tǒng)配置有幾個電弧和磁控濺射陰極惧圆，電弧層可作為過渡層或為整個涂層提供必需的耐磨性往茄，與此同時，磁控濺射層則提供高溫和化學(xué)穩(wěn)定性瘦镶。這一復(fù)合涂層技術(shù)的優(yōu)點是沉積過程易于控制乘占、穩(wěn)定性好、重復(fù)性佳澳坟，其沉積速度(≧0.5μm/h)足以滿足工業(yè)化生產(chǎn)中對節(jié)省處理時間的實際要求笔畜。 

　　高溫化學(xué)氣相沉積技術(shù) 

　　高溫化學(xué)氣相沉積涂層(high temperature chemical vapor deposition习棋，HTCVD，一般簡稱為CVD)技術(shù)是指在一定溫度條件下呐粘，涂層材料的混合氣體在硬質(zhì)合金表面相互作用满俗，使混合氣體中的一些成份分解，并在刀具表面形成金屬或化合物的硬質(zhì)涂層作岖。 

　　此方法成功實施的關(guān)鍵在于：(1)作為涂層材料的混合氣體與硬質(zhì)合金表面的相互作用唆垃、也即涂層材料的混合氣體之間在硬質(zhì)合金表面上反應(yīng)來產(chǎn)生沉積，或是通過涂層材料的混合氣體的一個組分與硬質(zhì)合金表面反應(yīng)來產(chǎn)生沉積鳍咱；(2)該沉積反應(yīng)必須在一定的能量激活條件下進(jìn)行降盹。 

　　高溫化學(xué)氣相沉積涂層具有以下優(yōu)點：(1)其所需涂層源的制備相對容易；(2)可以沉積金屬碳化物谤辜、氮化物、氧化物等單層及多元層復(fù)合涂層价捧；(3)涂層與基體之間的結(jié)合強度高丑念；(4)涂層具有良好的耐磨性能。 

　　不可否認(rèn)的是结蟋，這種方法存在著先天性的缺陷脯倚。主要有以下幾點：(1)涂層溫度高。即涂層沉積溫度高于900℃嵌屎，使涂層與基體之間容易產(chǎn)生一層脆性的脫碳層(η相)鸯流，從而導(dǎo)致硬質(zhì)合金材料的脆性破裂，抗彎強度下降滴督；(2)涂層內(nèi)部為拉應(yīng)力狀態(tài)址靶，使用時容易導(dǎo)致微裂紋的產(chǎn)生；(3)在涂層過程中排放的廢氣瘫碾、廢液會造成工業(yè)污染乔盹，對環(huán)境的影響較大。也正因為此奴爷，在20世紀(jì)90年代中后期該方法的發(fā)展受到了一定制約叨剧。 

　　中溫化學(xué)氣相沉積技術(shù) 

　　中溫化學(xué)氣相沉積涂層(moderate temperature chemical vapor deposition，MTCVD)技術(shù)的反應(yīng)機理是以含C-N原子團(tuán)的有機化合物如三甲基氨擂门、甲基亞胺等為主要反應(yīng)原料氣體秩旬，與TiCl4、N2自畔、H2等氣體在700℃～900℃溫度下淘客，產(chǎn)生分解、化合反應(yīng)遇患，生成TiCN等涂層统台。 

　　MTCVD的優(yōu)點是：(1)沉積速度快雕擂、沉積溫度較低；(2)涂層較厚贱勃；(3)對于形體復(fù)雜的工件涂層均勻井赌；(4)涂層附著力高；(5)涂層內(nèi)部殘余應(yīng)力小贵扰。鑒于此仇穗，這種方法易于工業(yè)化，是一種優(yōu)于高溫化學(xué)氣相沉積涂層的涂層方法戚绕。 

　　MTCVD也有缺點：(1)涂層內(nèi)部為拉應(yīng)力狀態(tài)纹坐，使用時容易導(dǎo)致微裂紋的產(chǎn)生；(2)在涂層過程中排放的廢氣舞丛、廢液會造成工業(yè)污染耘子，對環(huán)境不友好。上述原因在某種程度上也制約了這種技術(shù)方法的發(fā)展球切。 

　　采用MTCVD技術(shù)可獲得致密纖維狀結(jié)晶形態(tài)的涂層谷誓，涂層厚度可達(dá)8～10μm。這種涂層結(jié)構(gòu)具有極高的耐磨性晃烟、抗熱震性及韌性蕾崔，適于在高速、高溫翠柄、大負(fù)荷氧蔼、干式切削條件下使用，從刀片壽命來看皿完，相比普通涂層刀片的壽命可提高一倍左右夫蚜。 

　　等離子增強化學(xué)氣相沉積技術(shù) 

　　等離子增強化學(xué)氣相沉積涂層(plasma-enhanced chemical vapor deposition，PECVD)技術(shù)是指通過電極放電產(chǎn)生高能電子使氣體電離成為等離子體冗级，或者將高頻微波導(dǎo)入含碳化合物氣體產(chǎn)生高頻高能等離子奖卒、由其中的活性碳原子或含碳基團(tuán)在硬質(zhì)合金的表面沉積涂層的方法。 

　　PECVD的優(yōu)點：(1)它利用等離子體促進(jìn)化學(xué)反應(yīng)咸耍，可將涂層溫度降至600℃以下淘巩；(2)由于涂層溫度低，在硬質(zhì)合金基體與涂層材料之間不會發(fā)生擴散努儒、相變或交換反應(yīng)遇穷，因而基體可以保持原有的強韌性。 

　　PECVD的缺點：(1)設(shè)備投資大申屹、成本高绘证，對氣體的純度要求高；(2)涂層過程中產(chǎn)生的劇烈噪音哗讥、強光輻射嚷那、有害氣體胞枕、金屬蒸汽粉塵等對人體有害；(3)對小孔孔徑內(nèi)表面難以涂層等魏宽。 

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