序言：中國半導體產(chǎn)業(yè)將進入產(chǎn)業(yè)大發(fā)展的戰(zhàn)略機遇期呼猪。全球半導體產(chǎn)業(yè)步入產(chǎn)業(yè)轉移期，發(fā)達國家向高端產(chǎn)業(yè)鏈轉移。同時贝狈，全球半導體業(yè)實施輕晶圓廠(Fab-lite)策略，將芯片制造向新興國家轉移裸努。Motorola將全球28個Fab縮減至9個芦终，僅保留有優(yōu)勢的Fab。中國半導體產(chǎn)業(yè)人才垃桨、技術眉堪、市場、資金條件不斷成熟器赦，具備迎接全球半導體產(chǎn)業(yè)轉移的客觀條件奉堵。

　　中國半導體設計、制造刚垦、封測同步發(fā)展抚垃，結構日趨合理，產(chǎn)業(yè)鏈逐步完善趟大。封測業(yè)曾經(jīng)一度占到中國半導體產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值的70%以上鹤树。近年來，設計和制造業(yè)快速發(fā)展逊朽，封測相對發(fā)展緩慢罕伯，三足鼎立局面形成。半導體產(chǎn)業(yè)垂直分工日益細化促使產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)之間合作意愿加強惋耙。全球第三大芯片代工廠中芯國際表示愿為國內中小型IC設計公司提供服務捣炬。IC設計、制造和封測業(yè)的創(chuàng)新能力不斷加強绽榛。

半導體IC（Integrated Circuit）設計產(chǎn)業(yè)活躍發(fā)展湿酸。中國半導體IC設計能力整體提升。以市場為導向灭美，按照消費者的需求進行產(chǎn)品創(chuàng)新推溃。IC設計已經(jīng)在多媒體播放器、數(shù)字電視届腐、FM万窄、藍牙、USB等領域取得突破仪荞。未來2~3年付忆，IC設計將在智能手機督近、3G、互聯(lián)網(wǎng)多媒體終端等進行創(chuàng)新艺退。立足本土市場的同時笋途，中國的IC設計積極尋求海外發(fā)展機會。IC設計企業(yè)正醞釀登陸國內外資本市場与钳，吸引更多的風險投資與高端人才隅凡。泰景、銳迪科精柒、格科微绵捡、杭州國芯等準備登陸創(chuàng)業(yè)板或 NASDAQ。IC加快行業(yè)整合重組探九，提高了市場反應速度和風險抵御能力安揣。

　　中國半導體封裝測試企業(yè)快速成長。封測業(yè)務外包已成為國際IC大廠的必然選擇舶衬，全球封測業(yè)務向中國轉移加速化撕。從2007年至今已有10多家IDM企業(yè)的封測工廠關閉。中國封測在技術上開始向國際先進水平靠攏约炎。本土封裝企業(yè)快速成長植阴。江陰長電、南通富士通圾浅、天水華天等實力較強的公司已成功上市掠手。

　　半導體設備和材料的研發(fā)水平和生產(chǎn)能力不斷增強。半導體設備制造業(yè)的發(fā)展得益于半導體產(chǎn)業(yè)的升級加速狸捕。本土企業(yè)半導體制造設備的研發(fā)水平提高喷鸽，表現(xiàn)不俗。格蘭達自主研發(fā)的全自動晶圓檢測機已于2008年實現(xiàn)上市銷售灸拍。北方微電子研制出100納米等離子刻蝕機做祝、LED的刻蝕機，獲得多家客戶認證鸡岗。加大對更高技術要求的半導體制造設備的研發(fā)將成為未來發(fā)展趨勢混槐。

　　國內市場需求旺盛，半導體市場前景廣闊咕烟。受PC韵楼、手機的快速增長的利好，2010年全球半導體市場預計增長10.2%憎对。國內PC决盔、手機、消費電子產(chǎn)品產(chǎn)能的擴大也有力的推動半導體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。09年中國手機產(chǎn)量6.1億部酿乾，占全球的50%辕洗；PC產(chǎn)量1.8億臺，占60%渣蒙；彩電產(chǎn)量9900萬臺殴客，占 50%。中國半導體產(chǎn)業(yè)2010年第一季度實現(xiàn)銷售收入297.77億元衅逝，同比增長46.8%。物聯(lián)網(wǎng)糕米、低碳忠伊、智能電網(wǎng)、光伏產(chǎn)業(yè)等新興產(chǎn)業(yè)迅速崛起巷波，將使半導體產(chǎn)業(yè)受益萎津。新興產(chǎn)業(yè)會使用大量的集成電路或半導體分立器件，例如LCD和LED的驅動電路抹镊、太陽能電池的逆變器锉屈。越來越多的企業(yè)IT部門購買和升級通訊設備需求也會帶來機會。

　　國內相關政策的出臺垮耳，為中國半導體產(chǎn)業(yè)提供了便利和激勵颈渊。一直以來，國家在稅收终佛、資金俊嗽、土地、基礎設施等政策方面的支持力度很大铃彰∩芑恚“核高基”專項與 “02”專項已經(jīng)開始實施，第一批專項資金已發(fā)放牙捉。國家曾以財政補貼方式推廣半導體照明產(chǎn)品1.5億只竹揍。新的《鼓勵軟件產(chǎn)業(yè)和集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展的若干政策》將在2010年年內出臺。與“18號文件”相比橘凿，新政策加大了扶持力度棱悄，擴展了覆蓋范圍。家電下鄉(xiāng)寡络、家電以舊換新寓吼、汽車下鄉(xiāng)等經(jīng)濟刺激政策擴大對半導體產(chǎn)品需求。2009年頒布的《電子信息產(chǎn)業(yè)調整和振興規(guī)劃》為半導體產(chǎn)業(yè)帶來新的希望衙乡。

　　看好中國半導體市場前景治牲，外資紛紛涌入本土市場。有利于縮短在技術方面與發(fā)達國家之間的差距箱歪，建成一流的制造企業(yè)趁悦⊙椴瘢可以帶來充足資金，減少企業(yè)委蒿、當?shù)卣呢斦摀⒆凇２痪们埃Ω康だ麉⑴c中芯國際配股黎人，成為中芯第四大股東撼泛。
太陽能電池產(chǎn)業(yè)

　　中國太陽能電池產(chǎn)業(yè)近年來高速發(fā)展，承擔了全球近一半的產(chǎn)能澡谭，產(chǎn)品主要銷往歐洲國家愿题。2009年世界太陽電池總產(chǎn)量為9340 MW，中國太陽能電池產(chǎn)量為4382MW蛙奖，占全球產(chǎn)量的46.92%潘酗，但95%以上產(chǎn)品出口國外。2008年全世界太陽能電池總產(chǎn)量達6850MW雁仲，中國太陽能電池總產(chǎn)量達1780MW仔夺，占全球總量的26%。其中攒砖，國內太陽能電池龍頭廠無錫尚德 2008年產(chǎn)量約為500MW缸兔，排名全球第三。天威英利產(chǎn)出281.5MW吹艇，天合光能產(chǎn)出約200MW灶体。

　　太陽能光伏整體產(chǎn)業(yè)最近幾年發(fā)展勢頭迅猛，產(chǎn)業(yè)鏈各個環(huán)節(jié)表現(xiàn)都較為突出掐暮。2009年捧懈，全國的多晶硅產(chǎn)量已達到1.8萬噸～2萬噸，2009年碧爬，中國太陽能光伏組件產(chǎn)量為2500MW 左右失叁，占全球的3成左右。2009年旺胳，太陽能光伏發(fā)電安裝量為160MW隐辟，超過過去幾十年累計安裝量的總和。

太陽能產(chǎn)業(yè)多晶硅原料供給過度依賴海外的矛盾逐漸緩解

　　2008年之前捞蹈，太陽能上游的多晶硅產(chǎn)業(yè)的提純核心技術主要掌握在國外七大廠商手中栈碰。美國的Hemlock，挪威的REC钧鸳、美國的MEMC牛斥、德國的 Wacker、日本的Tokuyama、MitsubishiMaterial和SumitomoTitanium卡载。他們壟斷了全球的多晶硅料供應砌熬，獲得了太陽能產(chǎn)業(yè)最豐厚的利潤。
　　原料依賴進口是制約中國太陽能電池發(fā)展的一大瓶頸矫夷。這一矛盾在2009年將得到很大程度的改善葛闷，2010年中國多晶硅供需關系的矛盾得到解決。中國雖然已經(jīng)成為太陽能電池生產(chǎn)大國双藕，但是2007年以前多晶硅供給能力卻少的可憐淑趾。2007年中國多晶硅需求量超過1萬噸，但是供給量卻只有1130噸忧陪。 2008 年全年多晶硅需求量超過17000噸扣泊，供給量也僅有4110噸，缺口較大赤嚼，太陽能電池產(chǎn)業(yè)原料對進口依賴度較高。隨著前期建設的多晶硅生產(chǎn)線陸續(xù)投入生產(chǎn)顺又，且生產(chǎn)水平穩(wěn)步提高更卒，2009年中國多晶硅需求缺口已經(jīng)降至6000噸。預計2010年中國多晶硅供需平衡關系將會逆轉稚照，全年多晶硅供給量將首次超過需求量蹂空。

　　三年來，國內諸多小型企業(yè)盲目投資多晶硅項目果录，導致產(chǎn)能過剩羹授。工業(yè)和信息化部、國家發(fā)改委在《2009年中國工業(yè)經(jīng)濟運行夏季報告》中指出咖雀，2009年上半年擎势，國內已立項的多晶硅項目超過50個，投資規(guī)模將超過1300億元亮购，總產(chǎn)能超過23萬噸楚携。倘若這些產(chǎn)能全部實現(xiàn)，相當于全球多晶硅年需求量的兩倍岔爹。工信部指出茅囱，太陽能光伏等新興產(chǎn)業(yè)的供給速度將遠超需求速度，近期中國光伏產(chǎn)業(yè)將出現(xiàn)過剩旧伺。2009年浆英，多晶硅的暴利時代已經(jīng)出現(xiàn)拐點；短期來看君祸，國內在建多晶硅廠受到的沖擊最大批型，這些龐大的投資可能尚未產(chǎn)生效益即成為投資商沉重的包袱。

政府出臺的相關政策助推太陽能產(chǎn)業(yè)的井噴發(fā)展

　　2003年10月，國家發(fā)改委鬼雀、科技部制定出未來5年太陽能資源開發(fā)計劃顷窒。發(fā)改委“光明工程”將籌資100億元用于推進太陽能發(fā)電技術的應用。計劃到2005年全國太陽能發(fā)電系統(tǒng)總裝機容量達到300兆瓦源哩。
2009年3月鞋吉，財政部制定了《關于加快推進太陽能光電建筑應用的實施意見》和《太陽能光電建筑應用財政補助資金管理暫行辦法》。中央財政安排專門資金励烦，對符合條件的光電建筑應用示范工程予以補助谓着，以部分彌補光電應用的初始投入。出臺相關財稅扶持政策的地區(qū)將優(yōu)先獲得中央財政支持坛掠。

　　2009年7月21日赊锚，財政部、科技部屉栓、國家能源局聯(lián)合發(fā)布了《關于實施金太陽示范工程的通知》舷蒲，決定綜合采取財政補助、科技支持和市場拉動方式友多，加快國內光伏發(fā)電的產(chǎn)業(yè)化和規(guī)纳剑化發(fā)展。三部委計劃在2-3年內锥约，采取財政補助方式支持不低于500兆瓦的光伏發(fā)電示范項目帖奠，據(jù)估算，國家將為此投入約 100億元財政資金侮搭。重點扶持用電側并網(wǎng)光伏,對并網(wǎng)光伏發(fā)電項目创邦，原則上按光伏發(fā)電系統(tǒng)及其配套輸配電工程總投資的50％給予補助。其中偏遠無電地區(qū)的獨立光伏發(fā)電系統(tǒng)按總投資的70％給予補助闭凡；對于光伏發(fā)電關鍵技術產(chǎn)業(yè)化和基礎能力建設項目丝您，主要通過貼息和補助的方式給予支持。除對具體的發(fā)電工程實行補助之外秩菩，光伏發(fā)電關鍵技術產(chǎn)業(yè)化示范項目以及標準制定蝗淡，也被列入補貼的范疇之內。其中就包括了硅材料提純庞取、控制逆變器避顶、并網(wǎng)運行等關鍵技術產(chǎn)業(yè)化項目，以及太陽能資源評價鞍靴、光伏發(fā)電產(chǎn)品及并網(wǎng)技術標準蟋软、規(guī)范制定和檢測認證體系建設等。

　　中國《新興能源產(chǎn)業(yè)發(fā)展規(guī)劃》已經(jīng)上報國務院嗽桩，該計劃指出岳守，2011～2020年凄敢，中國將對能源產(chǎn)業(yè)累計直接增加投資5萬億元。根據(jù)其具體細分湿痢，除核電和水電之外涝缝，可再生能源投資將達到2萬億-3萬億元，其中風電將占約1.5萬億譬重，太陽能投資則達到2000億-3000億拒逮。《新興能源產(chǎn)業(yè)發(fā)展規(guī)劃》初步計劃到2020年中國的水電裝機容量達到3.8億千瓦臀规，風電裝機1.5億千瓦滩援，核電裝機大約7000-8000萬千瓦，生物質發(fā)電3000萬千瓦塔嬉，太陽能發(fā)電裝機容量達到約2000萬千瓦玩徊。相比2007年頒布的《可再生能源中長期發(fā)展規(guī)劃與核電中長期發(fā)展規(guī)劃》，風電谨究、太陽能光伏及核電產(chǎn)業(yè)發(fā)展目標分別為原先規(guī)劃的5倍写寄、11倍和2倍。

　　太陽能行業(yè)發(fā)展的關鍵技術已經(jīng)列入國家級研發(fā)計劃中烟瞳。中國先后提出針對薄膜電池纽材、敏化電池技術的973計劃。針對基礎裝備和材料哑回，如碲化鎘莲吐、硒銦銅粟墩、薄膜硅電池技術已經(jīng)列入863計伊哮。兆瓦級光伏技術應用和關鍵技術問題已經(jīng)列入科技攻關計劃。

　　財稅方面惨槐，光伏企業(yè)固定資產(chǎn)问嬉、所得稅及出口退稅方面都有不同程度的優(yōu)惠。各地提出的允許光伏產(chǎn)品由生產(chǎn)型轉向消費型的增值稅轉型優(yōu)惠瘤褒，光伏企業(yè)固定資產(chǎn)可以抵扣列入《公共基礎設施項目企業(yè)所得稅優(yōu)惠目錄》炮姑。光伏企業(yè)所得稅第一年至第三年免征，第四年到第六年減半悲组；在《高新技術企業(yè)認定管理辦法》中检痰。太陽能光伏技術和發(fā)電技術企業(yè)所得稅稅率為15%，屬于國家鼓勵類項目锨推，進口設備可免征進口關稅和進口環(huán)節(jié)增值稅铅歼。2009年國家兩次調高了光伏產(chǎn)品出口退稅率，使單晶硅棒退稅率達17%换可，單晶硅片為13%椎椰。

中國太陽能產(chǎn)業(yè)技術現(xiàn)狀 

　　目前硅片電池仍是太陽能電池的主流厦幅，約占市場份額的90%，而薄膜電池發(fā)展更快慨飘，受到投資者熱捧确憨。光伏產(chǎn)業(yè)內部，存在著不同的技術路線瓤的，一種是以硅材料為主休弃，一種是以化學電池（碲化鎘等）為主，前者技術較為成熟堤瘤，后者光電轉化率較高玫芦。在硅材料利用中，也有兩種不同技術路線本辐，一種是晶硅電池守涤，一種是非晶硅薄膜電池，前者轉換率較高懂崭，但成本溃艺、耗能也高，后者成本处淘、耗能低睡硫，但衰減快、轉換率低栈眉。薄膜電池成本便宜趣闹，裝載至光伏系統(tǒng)后整體價格和其它能源相比劣勢更小，雖然目前晶體硅電池仍然占據(jù)主要地位榛架，但是薄膜電池未來發(fā)展前景更為看好箍负。

　　薄膜電池的比重近年來不斷上漲，有望成為今后5年的市場主力唤鳍。2006年薄膜電池總產(chǎn)量達到249MW麦回，占世界電池產(chǎn)量的10%。2007年薄膜電池產(chǎn)量達到470MW恕刘，占世界電池產(chǎn)量的12.6%缤谎。2008 年薄膜電池產(chǎn)量達到840MW，占世界太陽能電池比重的14％褐着。2009年薄膜電池達到1245MW坷澡，占世界太陽能電池比重的15％。

中國太陽能產(chǎn)業(yè)目前存在的主要問題及未來發(fā)展的機遇

　　在太陽能光伏產(chǎn)業(yè)鏈中含蓉，多晶硅的提純技術的突破將帶來近幾年的市場熱點频敛。在整個太陽能光伏產(chǎn)業(yè)鏈中，中國企業(yè)多數(shù)進入的是位于后端的太陽能電池和組件的生產(chǎn)環(huán)節(jié)谴餐，多晶硅提純環(huán)節(jié)屬于中國制造業(yè)技術較為薄弱的環(huán)節(jié)姻政。中國已投和在建的幾十家多晶硅廠呆抑，多數(shù)采用西門子改良工藝，一些關鍵技術中國還沒有掌握汁展。在提煉過程中70%以上的多晶硅都通過氯氣排放了鹊碍，不僅提煉成本高，而且環(huán)境污染非常嚴重食绿。國內一些企業(yè)已將開始小規(guī)模嘗試物理法提純多晶硅侈咕，一旦技術成熟形成規(guī)模生產(chǎn)，多晶硅成本和耗能將大大降低屏酌，其投資成本約為西門子法的1/10庇讥。

　　放眼未來十年市場，非晶硅薄膜電池技術將成為業(yè)界中的佼佼者予问。對于不同薄膜電池的發(fā)展润沸，雖然CIS（銅銦硒）和CIGS（銅銦硒鎵）電池轉換效率更高，但是工藝的不穩(wěn)定性和原材料的稀缺性都限制了其發(fā)展涕笛。CdTe電池已經(jīng)逐漸被市場所認可燥箍，生產(chǎn)也進入了大規(guī)模量產(chǎn)階段，成本仍有下降空間列汽，未來幾年市場規(guī)模也將繼續(xù)擴大朦晋。不過從長期看鎘的毒性限制了CdTe電池的發(fā)展，市場潛力不如非晶硅薄膜電池喳律。鎘周狱、砷元素有毒，而銦則是微量元素赤朽，地殼中含量相對較小稿辙，據(jù)有關方面的統(tǒng)計，即使全球銦采集起來也僅能制造30GWp芳撒，同時其開采難度相對較大邓深。相比而言未桥，非晶硅電池在原料和工藝穩(wěn)定性上都更具發(fā)展?jié)摿Ρ噬玻蔷П∧る姵氐霓D換效率不高，衰退性能成為限制非晶薄膜發(fā)展的技術瓶頸冬耿。

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