近日，日本東京大學(xué)研制出了鍵合在硅基底上的1.3m量子點(diǎn)（QD）激光二極管棕优。光子電路通常以硅為基底惑拙，但目前的光源通常采用化合物半導(dǎo)體研制。特別是孙远，研究人員正在尋求大溫度范圍下穩(wěn)定工作的器件耐叽，以實(shí)現(xiàn)更高的工作溫度。東京大學(xué)的器件是采用硅摻雜部分P型砷化鎵（GaAs）壁壘結(jié)合自行聚合砷化銦（InAs）形成量子點(diǎn)友熟，以構(gòu)建激光二極管的有源發(fā)光區(qū)域录抖，再將這些器件鍵合到硅基底上。

　　有源區(qū)域由8層P-GaAs壁壘中自行聚合的InAs 量子點(diǎn)結(jié)構(gòu)組成栓占。每層的點(diǎn)密度為6×1010/cm2两候。試驗(yàn)中對(duì)直接和金屬介導(dǎo)兩種鍵合工藝進(jìn)行了測(cè)試，兩種工藝研制的器件均可在超過(guò)100℃的條件下發(fā)射1.3m（光通信的O波段）的激光橡彬。這些結(jié)果證實(shí)了媳阴，采用晶圓鍵合工藝研制的硅上III-V族量子點(diǎn)激光器有望在高密度光子集成電路中實(shí)現(xiàn)溫度穩(wěn)定的運(yùn)行。

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