【編者按】半導(dǎo)體塘憨，指常溫下導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體與絕緣體之間的材料掩半。材料的導(dǎo)電性是由“傳導(dǎo)帶”中含有的電子數(shù)量決定纤厨。當(dāng)電子從“價(jià)帶”獲得能量而跳躍至“導(dǎo)電帶”時(shí)族逻，電子就可以在帶間任意移動(dòng)而導(dǎo)電。一般半導(dǎo)體材料的能隙約為1至3電子伏特守镰，通過(guò)電子傳導(dǎo)或空穴傳導(dǎo)的方式傳輸電流崎络。

國(guó)內(nèi)外市場(chǎng)需求為國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備業(yè)提供了光明前景。目前一批極大規(guī)模集成電路制造設(shè)備猖右、集成電路先進(jìn)封裝工藝制造設(shè)備颗酷、高亮度發(fā)光二極管制造設(shè)備開(kāi)發(fā)成功，國(guó)產(chǎn)設(shè)備實(shí)現(xiàn)從無(wú)到有稽橱、從低端設(shè)備到高端設(shè)備的突破戏丽，在以美、歐、日為主導(dǎo)的半導(dǎo)體領(lǐng)域形成突破耙屹。

根據(jù)我國(guó)的具體現(xiàn)狀铲醉，我國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備采取了分層次發(fā)展的方式，已取得了初步的進(jìn)展抗俄。中國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備發(fā)展前景看好脆丁。

未來(lái)驅(qū)動(dòng)各半導(dǎo)體廠投資的新技術(shù)為20納米FinFED和3D NAND制程，需要的半導(dǎo)體機(jī)臺(tái)設(shè)備成長(zhǎng)动雹，帶動(dòng)相關(guān)業(yè)者資本支出再攀高偎快。

未來(lái)半導(dǎo)體設(shè)備技術(shù)呈現(xiàn)以下5個(gè)發(fā)展方向：

1、高精度化

不斷縮小的芯片特征尺寸要求設(shè)備高精度化洽胶。如其中的關(guān)鍵設(shè)備stepper(準(zhǔn)分子激光掃描分步投影光刻機(jī))必須通過(guò)縮小曝光光束的波長(zhǎng)晒夹、增大數(shù)值孔徑(NA)和擴(kuò)大視場(chǎng)面積、提高分辨率來(lái)不斷提高光刻精度姊氓。

2丐怯、加工晶圓大尺寸化

不斷擴(kuò)大的晶圓尺寸可以提高產(chǎn)量和降低成本，從而獲取更大的利潤(rùn)翔横。

3读跷、加工晶圓單片化

200mm晶圓生產(chǎn)線采用常規(guī)的高半成品(WIP)晶圓批處理生產(chǎn)方式。300mm晶圓生產(chǎn)線將采用低半成品禾唁、單晶圓片效览、連續(xù)流生產(chǎn)方式，據(jù)估計(jì)穗狞，一家采用單晶圓片流程加工300mm晶圓的工廠每月初始生產(chǎn)的晶圓片數(shù)量是加工200mm晶圓片工廠的2倍踱封，而且成本和復(fù)雜性都大幅度降低。因此凭衩，隨著晶圓的大尺寸化脏诈，對(duì)300mm晶圓必須采用單晶圓片連續(xù)流生產(chǎn)方式。

4慌位、設(shè)備組合化

隨著IC集成度的不斷提高锯政，IC制造工藝越來(lái)越復(fù)雜，工藝流程越來(lái)越長(zhǎng)子宵，為了減少對(duì)晶圓的污染和提高生產(chǎn)效率尚档，設(shè)備制造商將多種設(shè)備組合在一起，變成聯(lián)動(dòng)機(jī)彪性，具有多種功能彩梅。原來(lái)后道封裝、測(cè)試設(shè)備較多制成聯(lián)動(dòng)機(jī)漓客，現(xiàn)在逐漸擴(kuò)大到前道設(shè)備固啡。為了滿足300mm晶圓生產(chǎn)線采用單晶圓片、連續(xù)流生產(chǎn)方式蝙斜，必須使設(shè)備名惩、工具、晶圓片之間應(yīng)盡量緊湊孕荠。

5娩鹉、全自動(dòng)化

由于300mm晶圓生產(chǎn)線采用單晶圓片、連續(xù)流生產(chǎn)方式稚伍，所以300mm晶圓生產(chǎn)線的一切都應(yīng)是自動(dòng)化操作弯予。

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