MICRO FOOT?器件在業(yè)內1mm2占位的20V MOSFET中具有最低的導通電阻

賓夕法尼亞、MALVERN — 2015 年 3 月20 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出新的TrenchFET? 20V N溝道MOSFET---Si8410DB绿聘，在可穿戴設備、智能手機次舌、平板電腦和固態(tài)驅動器中節(jié)省空間熄攘，降低功耗，并延長電池使用時間彼念。Vishay Siliconix Si8410DB采用芯片級MICRO FOOT?封裝挪圾，高度只有0.54mm，在小尺寸1mm2占位的20V器件中具有最低的導通電阻逐沙。

Si8410DB適合用作電源管理應用里的負載開關哲思、小信號開關和高速開關，導通電阻極低蔓酣，在4.5V柴羞、2.5V、1.8V和1.5V下的導通電阻分別為37mΩ载甸、41mΩ稳嘁、47mΩ和68mΩ。與采用CSP 1mm2封裝的最接近競爭器件相比，這顆器件在4.5V托习、2.5V石检、1.8V和1.5V下的導通電阻小26%、32%虏淋、35%和27%惯斥。與DFN 1mm2封裝的器件相比，Si8410DB在4.5V尸查、2.5V病趋、1.8V和1.5V下的導通電阻低32%、40%凛驮、48%和43%裆站。器件的低導通電阻条辟，導通電壓低至1.5V黔夭，加上±8V VGS，使鋰離子供電的應用能實現(xiàn)安全裕量羽嫡、靈活的柵極驅動設計和高性能本姥。

Si8410DB具有30mΩ/mm2的極低導通電阻，比最接近的1mm2塑料封裝的20V MOSFET低20%杭棵，在移動應用里能夠節(jié)省空間并減少電池功耗婚惫。器件的低導通電阻意味著在直流和脈沖峰值電流時的電壓降非常低，以熱的形式浪費掉的電能更少魂爪。更低的導通電阻和更低的熱阻先舷，使Si8410DB的溫升比僅次于這顆芯片的采用CSP和1mm2封裝的器件分別低45%和144%。

Si8410DB現(xiàn)可提供樣品滓侍，并已實現(xiàn)量產蒋川，大宗訂貨的供貨周期為十三周。

VISHAY簡介

Vishay Intertechnology, Inc. 是在紐約證券交易所上市（VSH）的“財富1000 強企業(yè)”撩笆，是全球分立半導體（二極管倡挚、MOSFET和紅外光電器件）和無源電子元件（電阻器、電感器筷疹、電容器）的最大制造商之一蒸拦。這些元器件可用于工業(yè)、計算瞳竖、汽車蜘把、消費、電信乡捧、軍事衅滞、航空航天、電源及醫(yī)療市場中幾乎所有類型的電子設備和裝備青蝗。憑借產品創(chuàng)新遏填、成功的收購戰(zhàn)略配评，以及“一站式”服務使Vishay成為了全球業(yè)界領先者。有關Vishay的詳細信息氛赞，敬請瀏覽網站 (暫不可見)再拴。

MICRO FOOT?和TrenchFET?是Siliconix incorporated的注冊商標。

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