【編者按】英飛凌科技股份公司推出全新的CoolMOS?C7系列超結(jié)（SJ）MOSFET家族甲锡。該600V系列相比CoolMOS?CP可減少50%的開關損耗，CoolMOSC7可使PFC和LLC拓撲的效率分別提高0.3%-0.7%和0.1%，這有利于顯著降低總擁有成本聂祈。對于2.5kW的服務器PSU，使用C7600VMOSFET可將因PSU能量損失導致的能源成本降低10%左右蝶锋。

德國慕尼黑—英飛凌科技股份公司推出全新的CoolMOS?C7系列超結(jié)（SJ）MOSFET家族陆爽。該600V系列相比CoolMOS?CP可減少50%的開關損耗，在PFC扳缕、TTF和其他硬切換拓撲結(jié)構(gòu)中可實現(xiàn)和GaN類似的性能水平慌闭。CoolMOSC7在業(yè)內(nèi)率先實現(xiàn)1Ω/mm2的面比電阻（R DS(ON)*A），它進一步擴展了英飛凌的最低每封裝R DS(ON)產(chǎn)品組合躯舔，可支持客戶進一步提高功率密度驴剔。全新CoolMOS系列具備超低開關損耗，適合大功率開關電源（SMPS）應用——比如服務器粥庄、電信丧失、太陽能——以及需要提高效率、降低組件成本（BoM）和總擁有成本（TCO）的工業(yè)應用惜互。

CoolMOSC7可降低超大型數(shù)據(jù)中心和電信基站等要求提高效率和降低TCO的應用的開關損耗布讹。CoolMOSC7可使PFC和LLC拓撲的效率分別提高0.3%-0.7%和0.1%，這有利于顯著降低總擁有成本训堆。對于2.5kW的服務器PSU描验，使用C7600VMOSFET可將因PSU能量損失導致的能源成本降低10%左右。

在企業(yè)服務器等關注組件和其他成本的應用中坑鱼，CoolMOSC7600V器件可幫助降低磁性元件成本帘染。由于柵極電荷和輸出電容顯著降低，C7的開關頻率是CoolMOS? CP的兩倍脯阔，但效率僅稍遜于CoolMOS? CP夏捣。這有助于最大限度縮小磁性元件尺寸，降低組件總成本。比如贵筹，開關頻率從65kHz增大一倍至130kHz時垃批，磁性元件成本可降低30%之多。

CoolMOSC7600V家族產(chǎn)品將在兩個300毫米晶圓廠制造翼毡，可為客戶提供供貨保障枢竟。該家族產(chǎn)品囊括R DS(ON)值和封裝各不相同的眾多型號，首發(fā)型號包括采用極具創(chuàng)新性的TO-2474管腳封裝的型號既感。這種4管腳封裝它可消除因快速瞬變導致的電源電感電壓降坤搂，從而將滿載效率最多提高0.4%。

英飛凌副總裁兼AC/DC產(chǎn)品線總經(jīng)理PeterWawer表示：“作為英飛凌高壓MOSFET產(chǎn)品組合的一部分挂悲，全新CoolMOSC7600V家族是英飛凌預計2016年初推出的GaN器件的重要‘奠基石’戒蟆。依托已實現(xiàn)批量生產(chǎn)的現(xiàn)成、可靠的技術揖赴，CoolMOSC7器件可最大限度降低開關損耗馆匿，實現(xiàn)高達200kHz的開關頻率，而英飛凌的GaN技術將進一步擴大頻率范圍燥滑，支持新型拓撲渐北。”

與CoolMOSC7600V形成互補铭拧、搭載行業(yè)標準管腳的英飛凌全新2EDN7524 EiceDRIVER? IC赃蛛，擁有兩個獨立的非隔離式低側(cè)柵極驅(qū)動器，每個驅(qū)動器可支持5A的源匯峰值電流搀菩。兩個通道都能實現(xiàn)典型的5ns上升和下降時間呕臂，而1ns的通道間延時匹配方便設置同步切換，使總驅(qū)動電流增加一倍秕磷。雖然電流增大诵闭，但輸出級的R DS(ON)非常低，這可最大限度降低驅(qū)動器的功耗——即便使用非常小的柵極電阻澎嚣、或者不用任何外部柵極電阻。因為驅(qū)動器IC能兼容控制和啟用輸入端高達-10 V DC的電壓存妇，所以它能有效應對接地反彈男软，提高系統(tǒng)可靠性。

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