功率器件市場仍將持續(xù)波動

過去幾年功率器件市場波動巨大佃却，2009年全球功率半導(dǎo)體市場銷售額下跌16%抖单，2010年則暴漲44%，創(chuàng)下有史以來的最高增長記錄勒极，2011年增長11%是掰。后面兩年由于市場對于經(jīng)濟(jì)增長不確定性的擔(dān)憂而采取去庫存、壓價與推遲購買等舉措辱匿，功率器件市場又經(jīng)歷了30多年來首次連續(xù)兩年下跌（2012年下跌8%键痛，2013年下跌6%）。2014年功率器件市場增長14%匾七，終于結(jié)束了連續(xù)兩年的艱難時光絮短。

功率器件廠商如何來應(yīng)對這種大起大落的市場呢江兢？安森美半導(dǎo)體標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品事業(yè)部亞太區(qū)高級市場總監(jiān)霍立信認(rèn)為，與客戶密切合作促讶，正確判斷市場景氣度观哲，同時能夠有渠道消化庫存才能在這樣跌宕起伏的市場中較好地生存掏躬。他說：“安森美半導(dǎo)體一直保持與終端客戶緊密合作侮捷，準(zhǔn)確預(yù)測客戶的短期需求及長期計劃，并利用代理商渠道進(jìn)行緩沖及庫存管理续疲，以及時應(yīng)對客戶需求的變化偶画。”

對于未來功率器件市場的走向嘁梦，霍立信表示市場將持續(xù)波動的可能性極大祟期，原因在于當(dāng)前電腦、智能手機(jī)等消費電子產(chǎn)品更新?lián)Q代快滩蔼，產(chǎn)品生命周期遠(yuǎn)遠(yuǎn)短于半導(dǎo)體器件生產(chǎn)周期希弟，消費電子市場需求的變化會波及功率器件市場態(tài)勢≈啻辏霍立信認(rèn)為現(xiàn)在的電子產(chǎn)品越來越強(qiáng)調(diào)便攜性洞枷，尺寸越來越小，功能卻越來越豐富鳖昌，要求功率器件以更緊湊的封裝提供高能效备畦，這將促進(jìn)GaN技術(shù)及新一代MOSFET的進(jìn)一步發(fā)展。隨著汽車许昨、工業(yè)及新能源市場對高性能電源轉(zhuǎn)換產(chǎn)品的需求增強(qiáng)懂盐，安森美也將加大在IGBT功率模塊上的投入。

功率器件未來市場的新增長點主要集中于汽車糕档、工業(yè)及新能源領(lǐng)域莉恼，包括汽車動力系統(tǒng)、先進(jìn)駕駛輔助系統(tǒng)（ADAS）速那、影音娛樂系統(tǒng)俐银、純電動車/混合動力車、智能家居琅坡、智慧城市悉患、自動化控制、智能電網(wǎng)榆俺、不間斷電源售躁、太陽能等應(yīng)用。隨著政府節(jié)能減排法規(guī)日趨嚴(yán)苛扯殴，以及消費者對汽車安全舒適性及燃油經(jīng)濟(jì)性的要求不斷提高缰鹏，汽車中所用到的半導(dǎo)體器件日益增加奔祟，不斷提高能效、降低能耗的發(fā)展趨勢將推動對功率器件的需求持續(xù)加速成長榄路。隨著工業(yè)4.0的提出翎丢，以智能制造為核心的產(chǎn)業(yè)趨勢席卷全球，促進(jìn)物聯(lián)網(wǎng)的發(fā)展步伐心篡，進(jìn)而對高功率密度量懂、高能效、低能耗功率器件的需求隨之增強(qiáng)蔼说。

產(chǎn)品線齊全仿竣、封裝與先進(jìn)工藝是競爭優(yōu)勢

作為一家主營為模擬器件的半導(dǎo)體公司，功率器件是安森美的主營業(yè)務(wù)之一唐绍，安森美在功率器件方面開發(fā)了多種新的工藝和技術(shù)氢觉。氮化鎵（GaN）作為一種新興的工藝技術(shù)，提供高能效的同時降低了導(dǎo)通損耗（導(dǎo)通阻抗）和開關(guān)損耗仗扬，還可以節(jié)省空間并提升散熱性能症概，安森美半導(dǎo)體推出的GaN晶體管，為開關(guān)電源和其他在能效及功率密度要求非常高的應(yīng)用帶來了性能的飛躍早芭。安森美半導(dǎo)體還推出了新一代場截止型溝槽IGBT降低開關(guān)損耗彼城，同時保證高可靠性，為工業(yè)應(yīng)用及新能源市場提供高性能方案逼友。此外安森美的T6/8MOSFET技術(shù)精肃，利用最低導(dǎo)通電阻提供高性能電源轉(zhuǎn)換，以幫助客戶達(dá)到更高能效的設(shè)計目標(biāo)帜乞。

談到安森美在功率器件市場的競爭優(yōu)勢司抱，霍立信總結(jié)了三點。首先安森美半導(dǎo)體具備強(qiáng)大的功率器件產(chǎn)品陣容黎烈，提供包括整流器习柠、MOSFET、IGBT照棋、功率集成模塊（PIM）等一系列涵蓋從小功率到大功率资溃、由低頻率至高頻率的功率器件；其次安森美在封裝技術(shù)上頗為領(lǐng)先烈炭，從最小的μSO8FL封裝到最大的PIM封裝技術(shù)走柠，可以根據(jù)不同的產(chǎn)品與應(yīng)用，提供最合適的封裝實現(xiàn)高性能卫道；最后安森美半導(dǎo)體在氮化鎵（GaN）器件括者、T8溝槽MOSFET及IGBT方面具有領(lǐng)先的技術(shù)優(yōu)勢，正進(jìn)一步擴(kuò)大功率器件的產(chǎn)品陣容秒勿。

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