從臺積電到阿斯麥爾（ASML）吻毅，一段時間以來美國頻頻借助各種手段，將商業(yè)問題政治化给急，打壓中國的半導(dǎo)體行業(yè)痒渊。但《日本經(jīng)濟新聞》在10月21日的一篇評論里指出，隨著半導(dǎo)體技術(shù)的革新烁胳，以及中國科技的發(fā)展蝇裤，未來半導(dǎo)體技術(shù)的大趨勢，其實有利于中國频鉴。

《日經(jīng)》：半導(dǎo)體科技發(fā)展趨勢栓辜，有利于中國 原日本半導(dǎo)體巨頭爾必達社長，現(xiàn)中國芯片制造商紫光集團的高級副總裁坂本幸雄垛孔，在文中對中國半導(dǎo)體行業(yè)的前景尤為樂觀：“當今世界藕甩，后來者擁有更好的機會，趕上現(xiàn)在的領(lǐng)導(dǎo)者周荐∠晾常” 他還在文中援引一名中國商界人士的話說：“中國科技行業(yè)的領(lǐng)袖們現(xiàn)在感謝特朗普，因為他幫助他們下定決心概作，自主開發(fā)技術(shù)腋妙∧梗” 文章指出，歷史上技術(shù)范式的改變骤素，常常能為行業(yè)的新參與者創(chuàng)造機會匙睹。如今，坂本幸雄也從當今半導(dǎo)體行業(yè)的技術(shù)趨勢中撑枯，看出了這種趨勢熊赦。

晶體管小型化遇瓶頸，3D技術(shù)崛起長期以來呕长，半導(dǎo)體行業(yè)都受制于“摩爾定律”疆逸，即集成電路芯片上可以容納的晶體管數(shù)目，大約每24個月便會增加一倍悯堂。但實際上巢段，大約2005年前后，芯片表面晶體管和電路尺寸的縮小化之路遇到了瓶頸矗壹。當時疯忽，晶體管的尺寸已縮小至30納米左右，而這一尺寸几郎，是由一種叫做“柵極”（gate）的中央電極來衡量的交掌。 隨后，晶體管的小型化之路趨向緩慢兑狱∮酰《日經(jīng)》稱，從32納米到近期的10納米衣屏，雖然芯片制造商一直在標榜芯片制程的縮小躏升。但從2005年前后，這些數(shù)字不再是柵極的實際尺寸了狼忱。如今膨疏，所謂的“10納米”或“7納米”，只是芯片制造商的一種品牌標簽钻弄。 例如佃却，東京大學(xué)的平本俊郎教授就向《日經(jīng)》表示，去年臺積電制造的7納米芯片窘俺，實際的柵極尺寸為18納米左右饲帅。而這，已經(jīng)與過去柵極尺寸也為32納米的32納米芯片批销，有了明顯的偏差洒闸。

臺積電生產(chǎn)的芯片 官方圖 由于晶體管小型化的難度，以及成本都在不斷上升，因此各大芯片制造商目前已轉(zhuǎn)向一種三維技術(shù)丘逸，即利用傳統(tǒng)晶圓表面上方的空間单鹿，將更多晶體管裝載到芯片上。如今最先進的NAND閃存芯片跪倘，即在最底層的晶圓裸片上楚辆，堆疊了96至128層的集成電路。 隨著層數(shù)的增加和芯片的增厚馏旅，晶體管的小型化過程在閃存領(lǐng)域發(fā)生了逆轉(zhuǎn)甜序。業(yè)內(nèi)專家介紹稱，如今閃存芯片的典型晶體管尺寸大約在22至 32納米范圍內(nèi)构眶，比幾年前閃存芯片中使用的14納米晶體管要大驹拢。 而這種芯片制造技術(shù)從晶體管小型化到三維技術(shù)的重要轉(zhuǎn)變，可能會影響業(yè)界對芯片制造過程中最困難的部分——光刻技術(shù)的態(tài)度希金。 光蝕刻法是一種工藝帕吆，在硅晶圓的光敏表面上，通過一個稱為光掩膜的玻璃板將光投射到硅晶圓上爵林，在玻璃掩膜上可以畫出電路計劃的圖像觅霉。這就像傳統(tǒng)的照片顯影過程，在透明膠片上捕捉到的圖像臣环，通過投射光線穿過負片绑警，對準感光紙，將其印在紙上央渣。 隨著電路進一步小型化计盒，這一過程需要短波光，來獲得更好的分辨率痹屹。最先進的微型化技術(shù)需要超紫外或極紫外（EUV）光譜范圍的不可見光章郁。

從光刻機中“解放”《日經(jīng)》稱，如今阿斯麥爾是光刻機產(chǎn)業(yè)內(nèi)的壟斷企業(yè)志衍，一臺EUV光刻機的售價大約在1.2億至1.7億美元之間。然而聊替，芯片制造商購買的阿斯麥爾光刻機楼肪，實際上只能應(yīng)用于整個芯片制造過程的極小部分，也只能帶來適度的微型化效果惹悄。

阿斯麥爾光刻機 阿斯麥爾官方圖 如今春叫，EUV光刻機只能用于制造邏輯芯片，如電腦的微型處理器泣港，智能手機的系統(tǒng)芯片暂殖，以及游戲和人工智能領(lǐng)域的圖形處理器等。由于由于電路組成的復(fù)雜性墓篇，邏輯芯片尚不能完全使用三維技術(shù)粤沥。 對芯片制造商來說础估，只為制造這些芯片就使用EUV光刻機，成本和難度可能并不那么合理索射。 實際上牙德，如果一家芯片制造商要使用EUV光刻機，它還需要使用許多其他工藝虎铅，來優(yōu)化EUV光刻技術(shù)庭钢，這就意味著廠商要投入大量資金，來購買各種先進設(shè)備钟骏。而裝備越先進讽钻，供應(yīng)商就越少，美國的禁令也就越有效企鄙。 但是扎矾，如今閃存芯片的制造過程已經(jīng)可以跳過EUV光刻機。 并且甩汞，如果能跳過EUV光刻機的限制豫尽，那么芯片制造商的選擇就更多了∏晏《日經(jīng)》稱美旧，日本佳能和尼康，如今也能生產(chǎn)非EUV光刻機贬墩。迄今為止榴嗅，美國并未禁止這兩家廠商對中國芯片制造商出貨。 另一方面陶舞，包括華為在內(nèi)嗽测，一些中國公司也一直在努力開發(fā)自己的光刻機。紫光集團旗下的長江存儲也在今年宣布成功研發(fā)128層QLC3DNAND閃存(型號：X2-6070)肿孵，并已在多家控制器廠商SSD等終端存儲產(chǎn)品上通過驗證唠粥。 《日經(jīng)》認為，當前美國方面似乎將限制中國的重點放在EUV光刻機上停做，但中國正在積累三維芯片制造技術(shù)晤愧，這最終將應(yīng)用于先進的邏輯芯片，幫助中國避免依賴基于EUV光刻機的芯片微型化蛉腌。 并且篇瀑，從長遠來看中國有能力提高芯片所有相關(guān)領(lǐng)域的技術(shù)，如材料瑟顶、光學(xué)看剃、化學(xué)、晶圓制造過程控制、表面檢測和功能測試等秋豌。 不少專業(yè)人士悔琉，也看好中國在芯片制造領(lǐng)域的潛能。曾在中芯國際擔(dān)任首席技術(shù)官的生駒俊明表示匙戚，基于他在中國的經(jīng)驗椎颓，他認為中國有足夠數(shù)量的有能力的科學(xué)家和工程師來開發(fā)自己的芯片制造設(shè)備和芯片設(shè)計軟件。 東京科學(xué)大學(xué)教授若林秀樹表示潭三，開發(fā)芯片制造設(shè)備和材料的整個供應(yīng)鏈不是一朝一夕就能完成的最阿。但他表示，“中國有可能在10至20年內(nèi)成為這一領(lǐng)域的主導(dǎo)國家玖项，因為它在所有科學(xué)和工程領(lǐng)域都擁有大量人才貌砖。” 對中國這樣的追趕者而言惜颇，技術(shù)趨勢也是一個優(yōu)勢皆刺。信息技術(shù)分析機構(gòu)高德納公司（Gatner）研究副總裁薩繆爾·王（Samuel Wang）表示：“新技術(shù)，如新材料凌摄、3D羡蛾、人工智能輔助芯片設(shè)計和基于云技術(shù)的制造協(xié)作，都將為新興企業(yè)創(chuàng)造新的機會锨亏〕赵梗”

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