在晶體管發(fā)明 75 周年之際例书，我想回答兩個問題：世界需要更好的晶體管嗎？如果是這樣刻炒，他們會是什么樣子牢星？

我會爭辯說，是的里捌，我們將需要新的晶體管隐鬼，而且我認(rèn)為我們今天已經(jīng)有了一些關(guān)于它們會是什么樣子的暗示。問題在于我們是否有意愿和經(jīng)濟(jì)能力去制造它們型吃。

我相信晶體管現(xiàn)在是并將繼續(xù)是應(yīng)對全球變暖影響的關(guān)鍵柱丐。氣候變化可能會給社會腌径、經(jīng)濟(jì)和個人帶來巨變，因此需要能夠賦予我們?nèi)祟惛竽芰Φ墓ぞ摺?/p>

半導(dǎo)體可以像其他技術(shù)一樣提高人類的能力凉危。根據(jù)定義笔骏，所有技術(shù)都可以提高人類的能力。但對他們中的大多數(shù)人來說粮森，自然資源和能源的限制使得數(shù)量級的改善值得懷疑撒沦。基于晶體管的技術(shù)是一個獨(dú)特的例外茵冗，原因如下：

隨著晶體管的改進(jìn)，它們使新的能力成為可能叮姑，例如計算和高速通信唉地、互聯(lián)網(wǎng)、智能手機(jī)传透、內(nèi)存和存儲耘沼、機(jī)器人技術(shù)、人工智能朱盐，以及其他還沒有人想到的東西群嗤。 [/td] [/tr] 2 這些能力具有廣泛的應(yīng)用，它們改變了所有技術(shù)兵琳、行業(yè)和科學(xué)狂秘。 半導(dǎo)體技術(shù)的增長不像其他技術(shù)那樣受到其材料和能源使用的限制。IC 使用相對少量的材料躯肌。因此者春，它們變得越來越小，它們使用的材料越少清女，它們變得越快钱烟、越節(jié)能、越有能力嫡丙。 [tr] 3 [td] 從理論上講昆颇，信息處理所需的能量仍然可以減少到今天所需能量的千分之一以下。雖然我們還不知道如何達(dá)到這種理論效率忠帝，但我們知道將能源效率提高一千倍并不違反物理定律侣赘。相比之下，大多數(shù)其他技術(shù)（例如電機(jī)和照明）的能源效率已經(jīng)達(dá)到其理論極限的 30% 到 80%但紫。

晶體管：過去扳引、現(xiàn)在和未來

我們將如何繼續(xù)改進(jìn)晶體管技術(shù)在短期內(nèi)是相對清楚的，但離今天越遠(yuǎn)吊任，它就會變得越模糊蛙府。在短期內(nèi)慷尸，您可以通過查看最近的過去來瞥見晶體管的未來。

從 1960 年到 2010 年左右树聪，基本的平面 (2D) MOSFET 結(jié)構(gòu)一直保持不變瘤嗜，直到進(jìn)一步增加晶體管密度和降低器件功耗變得不可能。我（代表本文作者胡正明）在加州大學(xué)伯克利分校的實驗室早在十多年前就看到了這一點(diǎn)胡电。我們在 1999 年報道了平面晶體管的后繼者 FinFET 的發(fā)明着还。FinFET 作為第一個 3D MOSFET，將扁平而寬的晶體管結(jié)構(gòu)變?yōu)楦叨木w管結(jié)構(gòu)徽惋。好處是在更小的占地面積內(nèi)獲得更好的性能案淋，就像在擁擠的城市中多層建筑相對于單層建筑的優(yōu)勢一樣。

FinFET 也就是所謂的薄體（thin-body）MOSFET险绘，這一概念繼續(xù)指導(dǎo)新設(shè)備的開發(fā)踢京。它源于這樣一種認(rèn)識，即電流不會通過硅表面幾納米內(nèi)的晶體管泄漏宦棺，因為那里的表面電勢受到柵極電壓的良好控制瓣距。FinFET 牢記這種薄體概念。該器件的主體是垂直的硅鰭片代咸，被氧化物絕緣體和柵極金屬覆蓋蹈丸，在強(qiáng)柵極控制范圍之外沒有留下任何硅。FinFET 將漏電流降低了幾個數(shù)量級呐芥，并降低了晶體管工作電壓逻杖。它還指出了進(jìn)一步改進(jìn)的路徑：進(jìn)一步降低車身厚度。

FinFET 的鰭片隨著每個新的技術(shù)節(jié)點(diǎn)變得越來越薄和越來越高贩耐。但這種進(jìn)步現(xiàn)在變得難以維持弧腥。因此業(yè)界正在采用一種新的 3D 薄體 CMOS 結(jié)構(gòu)，稱為環(huán)柵 (GAA)春佑。在這種新結(jié)構(gòu)上婚咱，一堆半導(dǎo)體帶構(gòu)成了薄體（a stack of ribbons of semiconductor make up the thin body）。

MOSFET 結(jié)構(gòu)的每一次演變都旨在通過柵極 [粉紅色] 更好地控制硅中的電荷栽不。電介質(zhì) [黃色] 防止電荷從柵極移動到硅體 [藍(lán)色]挣徽。

3D 薄體趨勢將從這些 3D 晶體管延續(xù)到 3D 堆疊晶體管、3D 單芯片（Monolithic）電路和多芯片封裝哲童。在某些情況下咙借，這種 3D 趨勢已經(jīng)達(dá)到了頂峰。例如堡酗，電荷陷阱（charge-trap）存儲器晶體管陣列的規(guī)律性使 NAND 閃存成為第一個從 2D 電路過渡到 3D 電路的 IC脖投。自 2007 年東芝首次報告 3D NAND 以來，堆疊層數(shù)已從 4 層增長到超過 200層斜兽。

單芯片 3D 邏輯 IC 可能會適度起步防苗，堆疊 CMOS 反相器的兩個晶體管以減少所有邏輯門的“占地面積”羽址。但是堆棧的數(shù)量可能會增加。通往 3D IC 的其他途徑可能采用將額外的半導(dǎo)體薄膜層（例如硅谋旦、硅鍺或砷化銦鎵）轉(zhuǎn)移或沉積到硅晶片上剩失。

薄體趨勢可能會在二維半導(dǎo)體中達(dá)到其最終終點(diǎn)，其厚度以原子為單位册着。例如拴孤，二硫化鉬分子（Molybdenum disulfide molecules）既天然又薄又相對較大，形成可能不超過三個原子寬但具有非常好的半導(dǎo)體特性的二維半導(dǎo)體甲捏。2016 年演熟，加利福尼亞州和德克薩斯州的工程師使用二維半導(dǎo)體分子二硫化鉬和碳納米管薄膜展示了具有關(guān)鍵尺寸的 MOSFET：柵極長度僅為 1 納米。即使柵極短至 1 nm司顿，晶體管漏電流也僅為每毫米 10 毫微安绽媒，可與當(dāng)今最好的生產(chǎn)晶體管相媲美。

可以想象免猾，在遙遠(yuǎn)的未來，整個晶體管可能被預(yù)制為一個分子（molecule）囤热。這些預(yù)制構(gòu)件可能會通過稱為定向自組裝 (DSA：directed-self-assembly) 的制程被帶到它們在 IC 中的精確位置猎提。要理解 DSA，回顧一下 COVID 病毒使用其尖峰來尋找并化學(xué)团园靠在特定人類細(xì)胞表面的確切位置可能會有所幫助锨苏。在 DSA 中，對接點(diǎn)（docking spots）容厦、“尖峰”（spikes）和晶體管cargo都是經(jīng)過精心設(shè)計和制造的旺民。最初的對接點(diǎn)（docking spots）可以通過在基板上進(jìn)行光刻來創(chuàng)建，但是額外的對接點(diǎn)（docking spots）可能會在后續(xù)步驟中作為 cargo 引入牙茅。如果僅在制造過程中需要而在最終產(chǎn)品中不需要阵拜，則可以通過加熱或其他方式去除一些 cargo 。

除了使晶體管更小之外指锉，我們還必須不斷降低它們的功耗稍呛。在這里，我們可以看到通過使用所謂的負(fù)電容場效應(yīng)晶體管 (NCFET：negative-capacitance field-effect transistors) 實現(xiàn)了數(shù)量級的減少吹对。這些需要在 MOSFET 的柵極堆疊中插入納米薄的鐵電材料層邀曲，例如氧化鉿鋯（hafnium zirconium oxide）。由于鐵電體包含自己的內(nèi)部電場暮戏，因此打開或關(guān)閉設(shè)備所需的能量更少撕拇。薄鐵電體的另一個優(yōu)點(diǎn)是可以利用鐵電體的容量來存儲其電場狀態(tài)，從而將存儲和計算集成在同一設(shè)備中垃散。

作者 [左] 于 2016 年獲得巴拉克奧巴馬總統(tǒng) [右] 頒發(fā)的美國國家技術(shù)與創(chuàng)新獎?wù)?/em>

在某種程度上豌熄，我所描述的設(shè)備是從現(xiàn)有趨勢中產(chǎn)生的授嘀。但未來的晶體管可能與今天的晶體管具有截然不同的材料、結(jié)構(gòu)和工作機(jī)制房轿。例如粤攒，納米機(jī)電開關(guān)（nanoelectromechanical switch）是對過去幾十年機(jī)械繼電器的回歸，而不是晶體管的延伸囱持。它不依賴于半導(dǎo)體物理學(xué)夯接，而是僅使用金屬、電介質(zhì)以及施加不同電壓的緊密間隔的導(dǎo)體之間的力纷妆。

所有這些例子都在幾年前用實驗證明了盔几。然而，與以往的半導(dǎo)體技術(shù)突破相比掩幢，將它們投入生產(chǎn)需要更多的時間和精力逊拍。

走向未來

我們能否實現(xiàn)這些壯舉？過去的一些教訓(xùn)表明我們可以际邻。

第一個教訓(xùn)是晶體管技術(shù)的進(jìn)步并不平坦或順利芯丧。1980 年前后，每顆芯片的功耗上升到了令人痛苦的地步世曾。采用 CMOS懊霹、取代 NMOS 和雙極技術(shù)后——工作電壓從 5 伏逐漸降低到 1 伏——為該行業(yè)帶來了 30 年或多或少的直截了當(dāng)?shù)倪M(jìn)步。但是踏旷，功耗再次成為一個問題凹田。2000 年至 2010 年間，有思想的研究人員預(yù)測每平方厘米 IC 產(chǎn)生的熱量很快就會達(dá)到核反應(yīng)堆堆芯的熱量糜谒。3D薄體FinFET和多核處理器架構(gòu)的采用避免了危機(jī)链坝，迎來了又一個相對平穩(wěn)的發(fā)展時期。

晶體管技術(shù)的發(fā)展史可謂一座座山峰攀登狸岁。只有當(dāng)我們到達(dá)一座山頂時饿婴，我們才能看到遠(yuǎn)處的景色，并繪制出一條路線來攀登下一座更高更陡的山峰泛滔。

第二個教訓(xùn)是栗怪，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的核心力量——納米加工——非常強(qiáng)大。歷史證明削仲，只要有足夠的時間和經(jīng)濟(jì)激勵娘瞻，只要該想法不違反科學(xué)規(guī)律，該行業(yè)就能夠?qū)⑷魏蜗敕ㄗ優(yōu)楝F(xiàn)實不恭。

但該行業(yè)是否有足夠的時間和經(jīng)濟(jì)激勵來繼續(xù)攀登更高更陡峭的山峰并不斷提高人類的能力叶雹？

這是一個公平的問題。隨著晶圓廠行業(yè)資源的增長换吧，技術(shù)發(fā)展的山峰增長得更快折晦。終有一天钥星，沒有一家晶圓廠公司能夠登上山頂，看清前方的道路满着。那么會發(fā)生什么谦炒？

所有半導(dǎo)體晶圓廠（包括獨(dú)立的和像英特爾這樣的綜合性公司）的收入約占半導(dǎo)體行業(yè)收入的三分之一。但晶圓廠僅占半導(dǎo)體技術(shù)所帶來的 IT风喇、電信和消費(fèi)電子行業(yè)總收入的 2%宁改。然而，晶圓廠行業(yè)承擔(dān)著發(fā)現(xiàn)魂莫、生產(chǎn)和營銷新晶體管和納米制造技術(shù)的大部分重?fù)?dān)还蹲，這需要改變了。

為了讓該行業(yè)生存耙考，晶圓廠行業(yè)相對貧乏的資源必須優(yōu)先考慮晶圓廠建設(shè)和股東需求谜喊，而不是科學(xué)探索。雖然晶圓廠行業(yè)正在延長其研究時間范圍王菲，但它也需要其他人來承擔(dān)責(zé)任巨陌。人類長期解決問題的能力值得有針對性的公眾支持。該行業(yè)需要長期探索性研究的幫助羽矮，公共資助辕憋，在類似貝爾實驗室的環(huán)境中，或者由大學(xué)研究人員提供卷俱，這些研究人員具有長期的職業(yè)生涯，并且在物理并淳、化學(xué)百郊、生物學(xué)和算法方面的知識比企業(yè)研究更廣泛和更深入目前允許。

這樣啰林，人類將繼續(xù)尋找新的晶體管捉为，并獲得應(yīng)對未來幾個世紀(jì)挑戰(zhàn)所需的能力。

（胡正明 半導(dǎo)體行業(yè)觀察）

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