近日，首批采用納米銀燒結(jié)技術(shù)的碳化硅模塊從智新半導(dǎo)體二期產(chǎn)線順利下線，完成自主封裝寂汇、測試以及應(yīng)用老化試驗。

碳化硅寬禁帶半導(dǎo)體是國家“十四五”規(guī)劃綱要中重點關(guān)注的科技前沿領(lǐng)域攻關(guān)項目捣染，憑借其優(yōu)良的高禁帶寬度免姻、高電子遷移率、高導(dǎo)熱等特點豌泊，使得碳化硅模塊具有顯著的高效率们灵、高壓、高工作溫度的優(yōu)勢怔于，在中高端新能源汽車中的應(yīng)用越來越普及禀蜒。

智新半導(dǎo)體碳化硅模塊項目基于東風(fēng)集團“馬赫動力”新一代800V高壓平臺，項目于2021年進行前期先行開發(fā)姚详，2022年12月正式立項為量產(chǎn)項目槐猪。碳化硅模塊項目以智新半導(dǎo)體封裝技術(shù)為引領(lǐng)，廣泛與中央企業(yè)伦颊、高等院校開展合作贪庄，從模塊設(shè)計、模塊封裝測試青弃、電控應(yīng)用到整車路試等環(huán)節(jié)鞠哥，實現(xiàn)關(guān)鍵核心技術(shù)的自主掌控。目前卖氨，碳化硅模塊開發(fā)項目已參與國資委專項課題1項会烙，參與行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)制定2項。

該碳化硅模塊筒捺，采用納米銀燒結(jié)工藝柏腻、銅鍵合技術(shù)，使用高性能氮化硅陶瓷襯板和定制化pin-fin散熱銅基板系吭，熱阻較傳統(tǒng)工藝改善10%以上五嫂，工作溫度可達175℃，損耗相比IGBT模塊大幅降低40%以上肯尺，整車?yán)m(xù)航里程提升5%-8%沃缘。

智新半導(dǎo)體成立4年來，已申請受理專利51項则吟，其中發(fā)明專利40項槐臀，已授權(quán)專利20項锄蹂，其中發(fā)明專利11項，并獲得湖北省“高新技術(shù)企業(yè)”認(rèn)證水慨，武漢市專精特新“小巨人”企業(yè)認(rèn)定得糜。

（全球電子市場）

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