韓國科學技術(shù)院的一組科學家周五表示，他們已經(jīng)開發(fā)出了亞納米級半導體所需的技術(shù)。

由韓國科學技術(shù)院教授 Lee Ka-young 領(lǐng)導的團隊表示雪奠，這項新技術(shù)利用了一種名為雙極性二硫化鉬 (MoS2) 的新物質(zhì)，而不是傳統(tǒng)的硅筏匪。

兩家亞洲芯片制造商踪启，三星電子和臺積電，正在采用最新技術(shù)慢俄，使用3納米工藝绩寂。

這兩家公司及其美國競爭對手英特爾將開始大規(guī)模生產(chǎn)基于 2 納米工藝的芯片，同時也在亞納米尺度上開展工作烤脾。

一納米是十億分之一米佃戈。人類頭發(fā)的厚度在 50,000 到 100,000 納米之間。

芯片制造商正在努力使產(chǎn)品更加緊湊匾委，因為芯片上的晶體管越小拖叙，其性能就越高氓润，功耗就越低。

Lee告訴UPI：“世界現(xiàn)在正在競相開發(fā)針對1納米或更小的計算機芯片節(jié)點薯鳍。在這種發(fā)展中咖气，由于短溝道效應(yīng)等問題，傳統(tǒng)硅并不是一種好的材料挖滤”老”

“MoS2 的優(yōu)越性在于，由于其獨特的結(jié)構(gòu)斩松，它可以有效地解決此類問題伶唯。然而，科學家們一直在努力用它制造雙極半導體惧盹。在此背景下乳幸，我們展示了實現(xiàn)高性能雙極 MoS2 器件的簡單策略【”她說粹断。

短溝道效應(yīng)發(fā)生在由超小型器件制成的超大規(guī)模集成電路中，由于電流泄漏等問題對其性能產(chǎn)生負面影響刻吵。

雙極性半導體意味著它可以傳輸正電荷和負電荷恼孩，這是芯片所需的基本功能。

Lee 補充說苦突，她的團隊的新發(fā)現(xiàn)還有另一個優(yōu)勢牙硫，即多功能性，因為基于 MoS2 的器件可以用作晶體管膊争、二極管和光電探測器校社。

該研究最近發(fā)表在同行評審的科學雜志《美國化學學會納米》上屯贺。

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