一塊月餅樣大小鞍时，硬度僅次于金剛石的灰色的晶體塊亏拉，這就是晶體材料國家重點實驗室剛剛出爐的3英寸碳化硅單晶。該實驗室宣布逆巍，這是我國在研制2英寸碳化硅單晶獲得成功以來及塘，在大直徑碳化硅單晶研究方面取得的又一突破性進展。 
                  　　 
         我國在“十五”期間獲得2英寸碳化硅單晶厚较，但更大直徑的生長技術進展緩慢坊蜂。在國家“863”計劃支持下，山東大學晶體材料國家重點實驗室依靠2英寸碳化硅單晶小批量產(chǎn)業(yè)化基礎蚤岗，首先利用理論計算卢俯，對大直徑單晶的溫場進行模擬，不斷試驗優(yōu)化設計变硬，最終在2000℃高溫和真空的環(huán)境下氢熏，成功生長出3英寸碳化硅單晶想触。

       自然界的晶體以絢爛的色彩贏得人們的喜愛，不僅如此仲蔼，還具有奇異的物理性能：能夠實現(xiàn)光晾充、電、磁些搅、熱崭湾、聲和力的相互作用和轉換，是電子器件乏呐、半導體器件猛蔽、固體激光器件的重要材料。據(jù)了解灵寺，從19世紀末開始曼库，人們用各種方法來探索如何生長晶體，碳化硅單晶就是人工晶體科學中熠熠生輝的一顆明珠略板。它被稱為第三代半導體材料凉泄，目前美國的碳化硅單晶直徑達到4英寸，處于國際領先地位蚯根。
           

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