由上海大學(xué)夏義本教授課題組承擔(dān)的強磁場下納米金剛石薄膜的制備技術(shù)項目通過市科委驗收。

強磁場下熱絲CVD方法制備金剛石薄膜的研究在國內(nèi)外屬首創(chuàng)。利用強磁場有望克服常規(guī)方法制備金剛石薄膜苛刻工藝條件的限制,使得制備工藝簡單化,容易獲得金剛石薄膜的納米晶化、高度定向化和低溫生長化,有望實現(xiàn)低成本、大面積绍申、高速率和高質(zhì)量金剛石薄膜的制備噩咪。

課題組開發(fā)強磁場下金剛石薄膜的納米晶化、高度定向化极阅、低溫化生長技術(shù),實現(xiàn)金剛石薄膜制備的低成本胃碾、大面積、高速生長蛹鼎；研制強磁場中金剛石膜熱絲化學(xué)氣相沉積(HFCVD)裝置樣機(jī),為大規(guī)模應(yīng)用提供參考样京；探索強磁場下金剛石薄膜的生長機(jī)理。自行設(shè)計并建立了一套在強磁場中制備金剛石膜的HFCVD小型裝置,解決了強磁場下HFCVD裝置腔體冷卻難列充、磁場對電熱絲存在干擾等問題品痕。該設(shè)備的研制成功和運行開創(chuàng)了強磁場下金剛石薄膜制備研究的先河,并為今后金剛石的研究工作奠定了基礎(chǔ)。研究了磁場參數(shù),沉積參數(shù)(沉積氣壓频咨、碳源濃度,沉積溫度,加熱方式等)對金剛石薄膜性能的影響府贰。獲得了強磁場下各工藝參數(shù)對金剛石薄膜晶粒度秦砌、表面粗糙度、定向化及生長速率的影響規(guī)律窑岖。通過優(yōu)化的工藝參數(shù)實現(xiàn)了金剛石薄膜的低溫经聊、高速率(大于2.0μm/h)和定向(定向度大于95%)生長。獲得的金剛石薄膜晶粒尺寸小于50nm匹惊、粗糙度小于30nm守譬。通過對強磁場下金剛石膜生長規(guī)律的系統(tǒng)研究,提出了強磁場下金剛石薄膜的成核機(jī)理和納米晶化、低溫化生長的機(jī)理,為獲得結(jié)構(gòu)和質(zhì)量容易控制的金剛石膜提供理論依據(jù)凛忿。

聲明：本網(wǎng)站所收集的部分公開資料來源于互聯(lián)網(wǎng)澈灼，轉(zhuǎn)載的目的在于傳遞更多信息及用于網(wǎng)絡(luò)分享，并不代表本站贊同其觀點和對其真實性負(fù)責(zé)侄非，也不構(gòu)成任何其他建議蕉汪。本站部分作品是由網(wǎng)友自主投稿和發(fā)布、編輯整理上傳逞怨，對此類作品本站僅提供交流平臺者疤，不為其版權(quán)負(fù)責(zé)。如果您發(fā)現(xiàn)網(wǎng)站上所用視頻叠赦、圖片驹马、文字如涉及作品版權(quán)問題，請第一時間告知除秀，我們將根據(jù)您提供的證明材料確認(rèn)版權(quán)并按國家標(biāo)準(zhǔn)支付稿酬或立即刪除內(nèi)容糯累，以保證您的權(quán)益！聯(lián)系電話：010-58612588 或 Email:editor@mmsonline.com.cn册踩。